12月8日消息，SK海力士今日宣布成功開(kāi)發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組樣品，這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器DRAM產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達(dá)8Gbps，較之目前DDR5產(chǎn)品4.8Gbps…

12月7日消息，在臺(tái)積電宣布在美國(guó)亞利桑那州新建第二座工廠后，蘋(píng)果公司CEO周二晚些時(shí)候出來(lái)支持稱(chēng)，該公司近十年時(shí)間來(lái)將首次在美國(guó)制造芯片

12月5日，據(jù)technews援引印度媒體Mint的報(bào)道，印度卡納塔克邦官員近日表示，如果印度及時(shí)批準(zhǔn)，則ISMCDigital預(yù)計(jì)在卡納塔克邦斥資30億美元興建晶圓廠的計(jì)劃可能會(huì)在幾個(gè)月內(nèi)開(kāi)工

美國(guó)時(shí)間12月1日，環(huán)球晶圓在美國(guó)德州謝爾曼市舉行12英寸晶圓廠動(dòng)土典禮，這也是時(shí)隔20年后，美國(guó)迎來(lái)的首座硅晶圓廠。環(huán)球晶圓強(qiáng)調(diào)，美國(guó)德州新硅晶圓廠預(yù)計(jì)兩年內(nèi)可陸續(xù)完成新廠建造、設(shè)備安裝、客戶(hù)送樣及…

11月25日，英飛凌和臺(tái)積電宣布，兩家公司正準(zhǔn)備將臺(tái)積電的電阻式RAM非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)引入英飛凌的下一代AURIX?微控制器，并將在臺(tái)積電的28納米節(jié)點(diǎn)上制造

11月30日消息，外資券商發(fā)布示警，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)明年上半年更加黯淡，價(jià)格將出現(xiàn)跳水式暴跌、幅度超過(guò)50%！據(jù)報(bào)道，雖然存儲(chǔ)器廠與通路商積極去化庫(kù)存，但成效要遲至明年首季才會(huì)逐步顯現(xiàn)，在各類(lèi)存儲(chǔ)器當(dāng)中，看…

11月29日，據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電2023年上半年整體晶圓廠產(chǎn)能利用率預(yù)估跌至80%，其中7/6nm制程產(chǎn)能利用率跌幅擴(kuò)大，5/4nm產(chǎn)能利用率從明年1月開(kāi)始逐月下滑。另?yè)?jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，摩根大通發(fā)布報(bào)告…

據(jù)報(bào)道，歐盟各國(guó)大使一致支持一項(xiàng)協(xié)議，該協(xié)議可能會(huì)釋放430億歐元的資金，以促進(jìn)研究和開(kāi)發(fā)，并為歐洲國(guó)家提供更大的半導(dǎo)體供應(yīng)自力更生能力。歐盟各國(guó)部長(zhǎng)定于12月1日召開(kāi)一次負(fù)責(zé)內(nèi)部市場(chǎng)和產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力委…

據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道，三星電子將運(yùn)用業(yè)界最先進(jìn)的3納米制程技術(shù)為英偉達(dá)、高通、IBM、百度等客戶(hù)代工芯片，預(yù)計(jì)最早將從2024年開(kāi)始產(chǎn)品供應(yīng)。消息稱(chēng)，三星將以3納米制程為英偉達(dá)代工繪圖處理器、為IBM代…

11月23日消息，AMD向供應(yīng)鏈客戶(hù)發(fā)送內(nèi)部函件，宣布將對(duì)旗下Xilinx賽靈思品牌的FPGA產(chǎn)品進(jìn)行漲價(jià)。AMD表示，由于疫情沖擊、供需緊張、成本上漲，2023年1月9日起，Spartan6系列漲價(jià)…