據(jù)手機晶片達人在微博上的爆料稱，臺積電內部決定放棄N3工藝，因為客戶都不用，轉2023下半年量產降本的N3E工藝。

不過在3nm之后，臺積將在明年推出升級版的N3E工藝，也就是3nm Enhanced增強版，進一步提升性能、降低功耗、擴大應用范圍，對比N5同等性能和密度下功耗降低34％、同等功耗和密度下性能提升18％，或可以將晶體管密度提升60％。

事實上，對于N3工藝，大部分IC廠其實興趣都是不大的，畢竟N5、N4、N3這種工藝，一般只有手機芯片廠商才會感興趣，其它IC廠商則沒多大興趣，主要因為其應用成本太高。

雖然，就這個消息來看，N3工藝沒有取得多大反響，不過下一代的N3E卻傳出了好消息。8月24日，據(jù)知名科技網站Tom's handware消息，臺積電N3E工藝良率進展超預期。其中256Mb SRAM的平均良率約為80%，移動設備以及HPC芯片的良率也為80%左右。

臺積電N3E工藝為N3工藝的加強版，其性能和功耗表現(xiàn)更好，此前有消息稱蘋果M3芯片將采用臺積電N3E工藝。此前有消息稱，臺積電N3制程在完成技術研發(fā)及試產后，預計2022年第三季下旬投片量開始大幅拉升，第四季月投片量將達上千片水準，進入量產階段。從以往慣例來看，預計臺積電會在今年先一步測試N3E工藝的性能和試產良率，可能會在2023年下半年大規(guī)模量產。